Описание
Технические характеристики изделия:
1 материал: силикон высокой чистоты
2 Размер: 2 дюйма
3 диаметр и допуск: 50,8 ± 0,3 мм
4 Толщина: 400um
5 Модель: Тип P
6 Удельное сопротивление: 9-15/Ω ● см
7 направление: 100>
8 Полировка: односторонняя полировка
9. основные области применения: PVD/CVD покрытие подложка, магнетронное напыление, XRD, SEM, образец роста атомных сил, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия анализ подложка, подложка, молекулярный лучевой эпитаксиальный рост полупроводниковый кристаллический рентгеновский анализ.
Характеристики
- Габаритные размеры
- diameter * thickness = 50.8mm * 400um
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon